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地區:广东 深圳
認證:

深圳市中鵬科技有限公司

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産品种类: N沟道MOSFET

封装: TO-3P

晶体管类型: 1 N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 800 V

Id-连续漏极电流: 10 A

Rds On-漏源导通电阻: 0.93 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V

Qg-栅极电荷: 45 nC

工作温度: - 55℃——+ 150℃

Pd-功率耗散: 240 W

N沟道MOSFET TSF10N80M具有高堅固性,低柵極電荷和快速開關的特點,廣泛應用于開關電源中。

型號/規格

TSF10N80M

品牌/商標

信安

封裝形式

TO-220F

環保類別

無鉛環保型

安裝方式

直插式

包裝方式

散裝

功率特征

大功率